トランジスタの静特性

以上、FETの電子回路の基礎について述べたが、トランジスタもほぼ同様な 特性を持っているため、ほぼ同様な議論が展開できる。 トランジスタには電子の流れを制御する npn トランジスタと、正孔の流れを 制御する pnp トランジスタがある。

Figure 2.5: npn トランジスタの構造

図2.5に、npn トランジスタの構造を示す。 主端子はエミッタ (emitter) とコレクタ (collector) と呼ばれ、制御電極は ベース (base) と呼ばれる。 電位の基準は通常エミッタにする。 トランジスタの場合は、何も外部から電圧をかけなくても、ベースの部分の 電位が高くなっており、ここに電子にとっての障壁が形成されている。 このため、電子はエミッタからコレクタには容易に移動することができない。 しかし、ベースに正の外部電圧 $V_{be}$ をかけると、障壁の高さがその 分低くなり、エミッタからコレクタに電流が流れるようになる。

Figure 2.6: トランジスタの特性

$V_{ce}$ に電圧をかけ、コレクタ電流 $I_c$ を制御電圧 $V_{ge}$ で制御することになる。 特性は図 2.6に示すように、FET の特性に酷似している。 ただ、トランジスタの場合は制御電極に僅かな電流が流れ込んでしまう。 この電流はコレクタ電流に比例し、通常コレクタ電流の 1/100 以下の僅かな 量である。 このため、多くの回路では無視してかまわないが、今後、必要に応じ 説明していく予定である。