p-MOS増幅器

Figure 3.10: p-MOS FET ソース接地増幅器

p-MOS FET を使っても、増幅器を構成することができる。 ただし、p-MOS FETは、通常電源の+側をソースとする。 さらに+側を接地と考える。 したがって、ソース接地増幅器は図3.10のように、 電源+側の上が接地側になり、FETも上に置かれることになる。 むろん、電源を逆さに置いて、FETを下に置く描き方も可能であり、 本によってはそのように描かれているものもあるが、本書では、後の章との 関係から、一貫して電源電圧の高い方を上に描くように統一する。 この場合の動作解析も、n-MOS FET の場合と全く同じである。 つまり、p-MOS FET の通常の動作領域である第三象限で、横軸の負の 電源電圧のところを通るような抵抗 $R$ の直線を引く。 入力電圧に対応するゲート電圧におけるFETの特性曲線と、抵抗 $R$ の交点の 横軸座標が出力電圧になり、縦軸が FET と抵抗を連続して流れる電流になる。 入力電圧を変えて、出力電圧を読み取ることにより、増幅器の伝達特性を 求めることができる。

Figure 3.11: p-MOS FET ソース接地増幅器

こうして得た伝達特性を図 3.11に示す。